机译:有限反应溅射制备ZrO2超薄膜作为栅极电介质 - 初始生长阶段的生长延迟时间
机译:通过限制反应溅射在初始生长阶段的生长延迟时间制备Zro_2超薄膜薄膜作为栅极电介质
机译:四方ZrO2薄膜的有限反应溅射生长及介电性能
机译:栅绝缘子用YSZ(ZrO2:Y2O3)薄膜的反应增长有限
机译:有限反应溅射制备ZrO2薄膜的介电性能的改善
机译:钇钡氧化铜薄膜生长初期阶段的微观结构表征:晶格匹配和非晶格匹配生长的比较。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:当量氧化层厚度小于10Å的Hf铝酸盐高k栅极电介质超薄膜的生长和表征
机译:外延YBa2Cu3O(7-x)薄膜:扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段,生长机制和衬底温度的影响。